玩彩网

  • <tr id='5kdw6b'><strong id='5kdw6b'></strong><small id='5kdw6b'></small><button id='5kdw6b'></button><li id='5kdw6b'><noscript id='5kdw6b'><big id='5kdw6b'></big><dt id='5kdw6b'></dt></noscript></li></tr><ol id='5kdw6b'><option id='5kdw6b'><table id='5kdw6b'><blockquote id='5kdw6b'><tbody id='5kdw6b'></tbody></blockquote></table></option></ol><u id='5kdw6b'></u><kbd id='5kdw6b'><kbd id='5kdw6b'></kbd></kbd>

    <code id='5kdw6b'><strong id='5kdw6b'></strong></code>

    <fieldset id='5kdw6b'></fieldset>
          <span id='5kdw6b'></span>

              <ins id='5kdw6b'></ins>
              <acronym id='5kdw6b'><em id='5kdw6b'></em><td id='5kdw6b'><div id='5kdw6b'></div></td></acronym><address id='5kdw6b'><big id='5kdw6b'><big id='5kdw6b'></big><legend id='5kdw6b'></legend></big></address>

              <i id='5kdw6b'><div id='5kdw6b'><ins id='5kdw6b'></ins></div></i>
              <i id='5kdw6b'></i>
            1. <dl id='5kdw6b'></dl>
              1. <blockquote id='5kdw6b'><q id='5kdw6b'><noscript id='5kdw6b'></noscript><dt id='5kdw6b'></dt></q></blockquote><noframes id='5kdw6b'><i id='5kdw6b'></i>
                首页   |   关于我们   |   华澜微产↑品   |   华澜微资讯   |   华澜微期〒刊   |   人才招聘   |   联系我们        中文|English     


                华澜微资讯
                 
                华澜微资讯

                 

                美国⊙闪存峰会(FMS2019)中国专场技术论坛精彩纷呈

                2019年08月7日

                      美国西部时间8月6日,一年◆一度的美国闪存峰会(Flash Memory Summit)在硅』谷圣塔克拉拉会议中心如期举行。FMS2019带来了未来非易失存储器件的研讨、企业级闪存存储方案等行业热门议题。峰∏会设置了中国专场(China Session),包括上午的技术论坛和下午的圆桌论坛。自从杭州电子科技大学教授(也是华澜微电子股份有限公司总经理)骆建军教授组织发起中国专场以来,这已经是第七届▃中国专场(China Session),而且是峰会开始第一天的↓首批论坛分会。

                      上午的技术论坛在会议中心GAM3会议室々如期召开。全球闪存企业界、投资界、学术界以及专业媒体人员聚集。来自中国闪存行业的代表们再次为全球业者展☉示了中国目前最先进的闪存技术和闪存应用。

                      早上8:30分,中国专场主席骆建军教授宣布论坛开始,FMS主席Charles Sobey做了致词发言。Charles先生最近几年多次往返中美之间,作为存储半导体ξ 专家的他,对中国最近几年的技术卐发展和不断进步表示赞赏。骆建军教授随后也发∩表了热情洋溢的讲话,他为了中美◆闪存业者的技术交流和更好展示中国技术付出了不断努力。从2013年开◢始组织FMS中国专场,先后☆组织了50余人次中美专家之间的互访,为推动双ζ方技术进步和技术交流做出了巨大贡√献。

                论坛主席与部分参会演讲人

                      Charles和骆建军两位都衷心感谢来自∞全球的业者一起来参加中国专场的交ω 流。最近两年,因为中美贸易摩擦等问题,专家互访多了一些※障碍,例如,每年都会因为签证和管控等问题造成部分专家不能参会。但是,这并没∴有影响全球业者对中国的关注,也没有影响中国业者对外交流合作的愿望;产业发展和市场需求也在不断推进两地交流。去年的2018年展会上,代表中国长江存储的杨士宁先生发表的Xtacking技术、中国Ψ科学院刘明院士展示的RRAM技术,为全球业者带来了耳目一新的中国原创技术,吸引㊣ 了全球业者的同时,也在推动中国闪存的应用和发展。

                Charles和骆建军

                      本次论坛有不同背景的五位专家,分别从不同角度,展示了最近一年中国闪存产业和技术的方方面面:

                      首先,来自兆◣易创新的Michael Wang就最近几年兆易创新在AIoT方面的一些应用和新的方案进行了介绍,他提到◆在闪存和AIoT应用上,他们通过ω植入智能技术,物联网业者提供了更加安全可靠和成本可控的解决方案∞,使得物联网厂商可以在原有BOM不变的基础上能够直接开发新的应用。

                      接着上场介绍的是得一微电子。作为国内领先的闪存控制器厂商◆,得一微是在原来硅格和时鼎合并基础上成↑立的,在闪存应用方面有不少独到见解,这次他们的市场总监罗挺先生提出了更好的控制器设计理念和应用。

                            第三位展示技」术理念的是来自腾讯云的柳文中先生。柳先生是非常有名的云存储专家,他拥有20余年的存储经验,作为国际一流的互联网公司,腾讯需要更安★全、更高效的存储来满足不断发展的业务需要,更加均衡在各种存储介质和存储进行配置是腾讯云存储满足应用①的关键。

                      第四位出场的刘海銮先生,来自华澜微电子(SageMicro),具有丰富的存储♀控制器设计经验。他带领团队完成过多颗存储控制器的设计,刘先生深深体会到存储控制器和存储应用∴对可靠性要求的不易,这次他给大家分享的创新技术,是将磁旋存储器(MRAM)应用【于新一代企业级高端控制器设计中,为产品√可靠性带来新解决方案,针对性地解决困扰业者已久的随机存储器(DRAM)缓存ㄨ因掉电造成数据丢失甚至SSD失效的问※题。

                      最后,来自中科院的杨建国教授,专业研究未来新型存储器技术,尤其是中科院微电子所已经♂取得了业界领先的RRAM实践成果,正在深入推进中。他对未来发展的RRAM提出了自己独到的见解,并预ω 测因为更好产品性能和可靠性,未来存储领域一定会有RRAM的一片天地。

                      论坛在每位专家介绍完毕后,留出了十分钟的提问答疑时间。现场记者和业者纷纷提问,互动积极】踊跃。尤其是,中国在技术方面不断创新,不断展示出自主开发、原创设计的活力,更已经成为全球闪存业界不可忽视的一支力量。今日中国闪存←产业在国际市场和技术开发方面备受关注。

                FMS中国论坛专场主席骆建军教授

                      最后,论坛专场主№席骆建军教授做了总结发言。他十几年从事闪存控制器芯片开发,无论在学术界还是企业界都有建树,很有感触。他再次强调:“中国大陆来▲美国硅谷介绍和交流的专家学者克服了美国签证的障碍,克服了十几个小时长途飞行的艰辛,值得国际同行们尊敬,需要给予特别的感谢。”中国积极融入全球市场、积极提供技术方案共@谋存储产业发展,是有意义的活动。他召唤明年的中国论坛专场有更多的中国专家学者参与。他表示,随着全球经济互通互惠的发展,闪存业者一定会加强交流合作,明年的闪存峰会一定会更加热烈兴旺;呼吁广大业者共同努力,解决困难和障碍,推动新技术新产品,让大数据的时代进一步造福人类。

                以上内容转▂自《 存储在线》